Datasheet下载- 型号： IPD04N03LA G
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD04N03LA G由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD04N03LA G价格参考。InfineonIPD04N03LA G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD04N03LA G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD04N03LA G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPD04N03LA G是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单的产品，其应用场景主要包括以下几个方面： 1. 电源管理：该型号适用于各种电源管理场景，例如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）和电压调节模块（VRM）。由于其低导通电阻（Rds(on)）特性，能够高效地进行电流切换，从而减少功率损耗。 2. 电机驱动：在小型电机控制中，IPD04N03LA G可以作为开关器件使用。它支持快速开关操作，适合应用于家用电器（如风扇、泵）和工业自动化设备中的无刷直流电机（BLDC）驱动。 3. 负载开关：在消费电子和通信设备中，该MOSFET可以用作负载开关，实现对不同电路模块的动态供电控制，有助于提高系统的能效并延长电池寿命。 4. 保护电路：这款MOSFET也可用于设计过流保护、短路保护等安全机制。通过精确控制电流流动，防止因异常情况导致的损坏。 5. 信号切换：在需要高频信号处理的应用中，如数据通信接口或射频前端电路，IPD04N03LA G凭借其优异的开关速度和低电容特性，可有效执行信号路径的选择与隔离。 6. 汽车电子：尽管具体耐温范围需查阅详细规格书确认，但类似产品通常可用于车载系统中，比如车身控制模块、信息娱乐系统以及LED照明驱动等领域。 总之，IPD04N03LA G凭借其卓越的电气性能和可靠性，在众多需要高效功率转换与精确电流控制的应用场合中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 50A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD04N03LA_Rev1.99_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b429bcab41e1 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPD04N03LA G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5199pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 41nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.8 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD04N03LAGINCT |
| 功率-最大值 | 115W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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